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ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

来源 :科技信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户：songpingqing

【摘 要】

：

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素（Mn，Co，Fe）掺杂，使之具备半导体和磁性材料的综合特性，在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几

【作 者】

：

南貌 吕小龙 

【机 构】

：

宝鸡职业技术学院电子信息工程系,宝鸡技师学院

【出 处】

：

科技信息

【发表日期】

：

2011年35期

【关键词】

：

ZNO薄膜 过渡金属 稀磁半导体 掺杂 

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目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素（Mn，Co，Fe）掺杂，使之具备半导体和磁性材料的综合特性，在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。

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