300mm硅单晶的生长技术

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：prodigyvip

【摘要】

：

讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的有效控制了晶体的氧含量和微缺陷。

【作者】

：

张果虎吴志强等

【机构】

：

北京有色金属研究总院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

硅单晶热屏拉晶磁体生长的 mm silicon crystal heat shield magnetic field

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