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如何降低半导体器件通态压降
如何降低半导体器件通态压降
来源 :电子技术与软件工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:moyixin
【摘 要】
:
在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。
【作 者】
:
刘继红
李宫怀
【机 构】
:
阜新市天琪电子有限责任公司
【出 处】
:
电子技术与软件工程
【发表日期】
:
2015年02期
【关键词】
:
降低
半导体器件
通态压降
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在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。
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