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利用新型AE(AdvancedEnergy)脉冲电源采取共溅射的方式在Si片上制备不同结构的Cr/SmCo5/Cr和Cu/SmCo5/Cr薄膜,并分别研究Cu和Cr缓冲层对SmCo5薄膜磁性能和微观结构的影响。以Cu作为缓冲层时,在优于2×10―5Pa的真空环境下通过对样品在650℃退火60min,可以获得较良好的硬磁性能,垂直膜面的矫顽力可以达到1308Oe。以Cr作为缓冲层时,在低于2×10-5Pa的真空环境中,且在650℃退火60min便制备出样品。随后分别改变Cr缓冲层的厚度和