MBE自组织方法生长InGaAs／AlGaAs量子线FET材料

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a348329418

【摘要】

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利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(P

【作者】

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张文俊闫发旺崔奇张荣桂李献杰

【机构】

：

河北半导体研究所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

MBE 自组织方法 InGaAs/AlGaAs量子线 FET材料分子束外延场效应管 Atomic force microscopyField effect

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利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(PPL)研究发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 meV,最大偏振度可达0.22.以AlGaAs为垫垒,InGaAs/GaAs量子线为沟道,成功制备了量子线场效应管(QWR-FET)结构材料,并试制了器件,获得了较好的器件结果.

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