PDP选址驱动芯片高压管设计

来源 :东南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：requst2009

【摘要】

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PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV-CMOS结构及其中的高低压转换电路,采用TSUPREM-4与MEDICI软件对

【作者】

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吴建辉孙伟锋陆生礼

【机构】

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东南大学ASIC工程技术研究中心

【出处】

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东南大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2003年2期

【关键词】

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等离子体平板显示击穿特性高压管 PDP HV-CMOS结构高低压转换电路模拟分析选址驱动芯片设计 Design Integrated circuit

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PDP选址驱动芯片实现低压控制高压输出,其中高压管的设计是关键,文中提出了能与低压CMOS工艺相兼容的高压管HV-CMOS结构及其中的高低压转换电路,采用TSUPREM-4与MEDICI软件对其击穿特性进行了相应的模拟分析;通过对已流水的芯片中的高压管进行分析验证看出该结构击穿电压大于80V,工作电流大于40mA.

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