【摘 要】
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Ⅰ型Sr填充Si基单晶笼合物为具有较高热电性能的热电材料。基于第一性原理分别对Sr填充Si基笼合物Sr8Ga（16）Si（30-x）Snx（x=0、1、5、10）的能带结构和态密度进行计算,结果表明随着Sn
【机 构】
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重庆文理学院新材料技术研究院,中国民用航空飞行学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（61505018）, 重庆文理学院项目（R2012CJ18＆Z2013CJ02）
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Ⅰ型Sr填充Si基单晶笼合物为具有较高热电性能的热电材料。基于第一性原理分别对Sr填充Si基笼合物Sr8Ga（16）Si（30-x）Snx（x=0、1、5、10）的能带结构和态密度进行计算,结果表明随着Sn原子含量的增加,笼合物晶格常数变大,带隙变小,Sn原子和Si原子的共同作用使得材料能带结构发生改变,Sn掺杂使得材料的带边结构不对称性加剧,表明其因具有较为优越的热电性能。
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