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分析研究了半导体硅片CMP后表面污染机理和清洗的基本理论,综述了CMP后半导体硅片溶液清洗技术的研究进展与现状,并对其发展方向进行了展望。
半导体硅片CMP后溶液清洗技术的研究进展
【摘 要】
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分析研究了半导体硅片CMP后表面污染机理和清洗的基本理论,综述了CMP后半导体硅片溶液清洗技术的研究进展与现状,并对其发展方向进行了展望。
【机 构】
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河南省化工研究所有限责任公司
【出 处】
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清洗世界
【发表日期】
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2018年05期
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