【摘 要】
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采用中频反应磁控溅射法,在柔性聚对苯二甲酸乙二酯(PET)衬底上分别以TiO2、SnO2和ZnO为缓冲层,室温沉积了铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,研究了不同缓冲层对柔性AZO薄膜光电性质和
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采用中频反应磁控溅射法,在柔性聚对苯二甲酸乙二酯(PET)衬底上分别以TiO2、SnO2和ZnO为缓冲层,室温沉积了铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,研究了不同缓冲层对柔性AZO薄膜光电性质和耐弯曲特性的影响。研究结果表明,3种缓冲层均可以有效改善柔性AZO薄膜的电学性质,其中在SnO2缓冲层上,氩气和氧气流量比为5∶1条件下生长的AZO薄膜光电性能提高最为显著,薄膜电阻率明显降低,可见光区域平均透过率超过85%。SnO2和ZnO缓冲层对于100~1000次内弯曲时的AZO薄膜电学性质的蜕化具有非常显著的限制作
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