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本文提出了一种利用激光照射高阻硅来控制硅片中THz波传输特性的方法。利用波长为808nm的激光照射高阻硅产生光生电导来控制硅片对THz波的吸收系数，进而控制硅片中THz波的传输特性，并测量了在光强为1．9W／cm。的激光照射下硅片对THz波的透射特性。在1．9W／cm。的激光照射下，0．07cm硅片的THz波透射量减少了20％。实验证明，利用激光控制硅片中的THz波传输是可行的。