准一维半导体纳米结构的电子显微学研究

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gny637259

【摘要】

：

本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果.借助于现代电子显微镜技术,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构

【作者】

：

俞大鹏

【机构】

：

北京大学物理学院

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

2002年3期

【关键词】

：

准一维电子显微学半导体纳米线纳米结构纳米材料半导体 electron microscopysemiconductor nanowires

【基金项目】

：

国家自然科学基金，the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education (RFDP), China

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本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果.借助于现代电子显微镜技术,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应.尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术,解决了一个传统X-光等结构分析手段所不能解决的难题,分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构.

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