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飞兆半导体公司目前推出两种新型1200V IGBT模块——FMG2G50US120和FMG2G75US120，电流额定值分别为50A和75A，具有良好的导通损耗(VCE(sot))与关断损耗(Eoff)，提供较低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10KHz—30KHz的普通逆变器。与使用非穿通型(NPT)技术的同类元件相比，FMG2G75US120可减少功率损耗达20％。