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日本东北大学未来科学技术共同研究中心教授大见忠弘认为，用等离子体激发N元索，形成Si3N4，使用Si3N4形成栅绝缘层，可以解决栅极漏电流增大和电源电压升高的问题。
用N激励分子形成栅绝缘层，得到低漏电流、低电源电压、高速CHOS管
【摘 要】
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日本东北大学未来科学技术共同研究中心教授大见忠弘认为，用等离子体激发N元索，形成Si3N4，使用Si3N4形成栅绝缘层，可以解决栅极漏电流增大和电源电压升高的问题。
【出 处】
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电子设计应用
【发表日期】
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2005年7期
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