氯化铜被认为是对二■英(PCDD/F)生成促进作用最强的金属催化剂,温度和氧气含量是影响其催化二■英生成的关键因素.本文选取250～550℃间8个不同温度点及0～20%间4种不同氧气含量,系统性地研究了温度和氧气含量对含氯化铜模拟飞灰(MFA)生成二■英的影响,并通过分析指纹特性探讨二■英的生成路径和机理.结果发现,290～350℃之间二■英生成量较高,且在290℃时二■英总量达到最大值;氧气含量为10%时二■英生成量达到最高.研究二■英同分异构体分布可从分子层面为研究其生成路径和机理提供重要信息,因此,本文分析了四至八氯代PCDD/F的全部异构体的分布.结果表明,在本文所选取的温度和氧含量范围内,温度对二■英生成路径的影响高于氧气含量.最后,重点讨论了2,3,7,8位氯取代的17种有毒异构体的分布随温度和氧气的变化情况及生成路径.利用主成分分析法(PCA)证实了氯化铜催化二■英从头合成过程中存在经由氯酚路径生成的异构体,并讨论了不同工况下氯酚路径对二■英生成的影响.