【摘 要】
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n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键.本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶ H)样品中SiH和SiH
【机 构】
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南昌大学光伏研究院 南昌330031南昌工程学院理学院 南昌330099;南昌大学光伏研究院 南昌330031;
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n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键.本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶ H)样品中SiH和SiH2键构成,利用SintonW CT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和Sin键构成对n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)表面钝化效果的影响.结果表明:①掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;②在200～ 350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;③a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化.
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