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制作了一种硅接触侧向PIN型Ge波导光探测器,叙述了Si基选择性Ge外延层的制作流程,介绍了Ge波导光控测器的整体结构及制作流程.对该Ge波导光探测器的响应度、暗电流、带宽等参数进行了测试.结果表明,该Ge波导光探测器在-1 V偏压下的暗电流为8.3 nA,在1550 nm处的响应度为0.85 A/W,3 dB带宽为29 GHz.