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用MOCVD方法生产了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻，干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9．5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细分析了整个制备工艺过程，在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射，测出单个微碟激光器的阀值光功率为150μW,激射波长约为1．6μm，品质因数Q＝800,激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F－P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的。