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利用Materials Studio 7.0这种量子化学软件对空位掺杂单层WS_2的电子结构和能带边缘电位进行计算,结果表明：空位掺杂WS_2之后,带隙值减小。空位掺杂后引入了掺杂能级,结果造成导带位置降低,所以空位掺杂有利于电子从价带运动到导带。S空位掺杂WS_2之后,CBM电位（即还原电位）较本征态的更正,VBM电位（即氧化电位）较本征态的更负,因而S空位掺杂使得单层WS_2体系的析氢能力和析氧能力都降低。但W空位掺杂使得原体系的析氢能力提高,析氧能力降低。