【摘 要】
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针对硬盘头盘界面纳米级别微观接触问题,提出改进的GW接触模型计算微观接触力并引入分子间作用力建立头盘界面微观接触的力学模型,在此基础上建立头盘界面的两自由度动力学模型.利用龙格库塔方法求解不同接触状态下磁头的动态响应,结果表明:当磁头降低到一定飞行高度,头盘接触会导致磁头的自激振动,该动力学行为是造成磁头飞行失稳的关键因素.为了验证上述头盘界面接触动力学模型的准确性,选用物理参数相同的磁头开展过载状态下的动态响应测试,发现模型理论计算值与实验测试结果的相对误差不超过8％,验证了模型的准确性.
【机 构】
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西安交通大学机械工程学院 西安710049
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针对硬盘头盘界面纳米级别微观接触问题,提出改进的GW接触模型计算微观接触力并引入分子间作用力建立头盘界面微观接触的力学模型,在此基础上建立头盘界面的两自由度动力学模型.利用龙格库塔方法求解不同接触状态下磁头的动态响应,结果表明:当磁头降低到一定飞行高度,头盘接触会导致磁头的自激振动,该动力学行为是造成磁头飞行失稳的关键因素.为了验证上述头盘界面接触动力学模型的准确性,选用物理参数相同的磁头开展过载状态下的动态响应测试,发现模型理论计算值与实验测试结果的相对误差不超过8％,验证了模型的准确性.
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