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在对隙态密度的分布作U形近似并考虑存在D~+、D~-缺陷峰的条件下,计算了a-Si(H)太阳电池 i层内电场的分布,对最小隙态密度g_(min)、费米能级对带隙中心的偏离△E_F和势垒高度cV_D的依赖关系及不同情况下光生载流子的收集效率。结果表明,g_(min)和△E_F是影响i层内电场分布的主要因素,而缺陷峰的影响则很小。光生载流子的收集效率对内电场分布的依赖关系很不明显,而对i层的势垒高度eV_D、热激活距离r_0、空穴的扩散长度L_p等却有明显的依赖关系。