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采用磁控溅射方法，在Si衬底上淀积HfTiO高k介质，研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明，由于NO氮化退火能形成类SiO2／Si界面特性的HfTiSiON层，所制备的MOS器件表现出优良的电特性，即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质（HfTiON／HfTi—SiON）物理厚度变化（△Lox）和电容等效厚度变化（△CET）与介质（HfTiON）介电常数的关系，求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。