【摘 要】
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CuInSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料.利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2薄膜.薄膜的XRD图样显示:CuInSe2薄膜的形成与制备条件密切相关;在较大Cu、In原子
【机 构】
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南开大学光电子所,南开大学光电子所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)，天津市自然科学基金
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CuInSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料.利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2薄膜.薄膜的XRD图样显示:CuInSe2薄膜的形成与制备条件密切相关;在较大Cu、In原子比的范围内,在一定的硒化条件下,都可以形成以CuInSe2为基体的薄膜.SEM图样显示,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同.Cu/In接近1时,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密.Raman谱图显示,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织,在632.8nm激发波波长下,还有210cm-1和229cm-1两
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