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本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。
测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法
【摘 要】
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本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。
【机 构】
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吉林大学电子工程系,吉林大学电子工程系长春130023,长春130023,长春130023
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1993年4期
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