2005年12月，Intel宣布已经开发出了一种全新的可以实现超快速计算的晶体管技术，值得关注的是它具有非常低的功耗，也就是散热压力将非常小。这将是Intel芯片技术在未来数年得以持续保持领先优势的一项重要突破。
　　
　　据介绍，这种新晶体管使用新的材料制成，不仅能用于生产Intel的微处理器，还将用于其他逻辑电路产品中，具体应用时间将在5年以后。
　　
　　在晶体管中用于导电的材料是铟的一种锑化物(InSb)，它可以使晶体管变成一种性能增强模式，不仅运算速度更快，而且将比现有的任何晶体管都将省电。Intel期望这项技术所用的新材料可以代替传统芯片中所用的硅，并由此来将摩尔定律的有效性至少延续到2015年。“随着Intel在其他方面取得的技术进步，我们希望这种新材料在未来将对基于硅材料的半导体技术起到提升的作用，”Intel技术和生产部门的一位组件研究主管Ken David说。
　　
　　在晶体管层次实现计算性能的提升(约提升50%)、功耗的减少(仅为原有技术的1/10)，将会使未来的计算机平台具备更多的功能和特性，例如，除了降低机器在散热方面的压力，还将明显延长移动设备的电池持续使用时间，另外还有助于制造体积更小、性能更强的电子产品。
　　
　　InSb是用来生产III-V的一种材料，III-V是一种化合物半导体，如今被广泛用于诸如射频放大器、微波设备和半导体激光器等小规模集成的设备中。Intel在以前曾宣布过采用InSb作为晶体管导线的技术，不过此次宣布的晶体管原型的电门长度只有85nm，远比以前宣布过的要小。Intel称这一次是首次演示成功增强模式的晶体管原型，从而为以后生产更高性能的处理器等产品带来了希望。这种晶体管所用的电压是0.5V，约为当前晶体管所用电压的一半，而这一半的电压正是其极大节省功耗的关键所在。
　　
　　当然，性能提升和省电之间还需要平衡，这将是面临的一个重要挑战。性能的提升，意味着芯片将处理更多的数据，也就是会产生更多的热量；这些新增的热量和新芯片本身所带来的节能特性能否取得平衡，需要Intel费一番思量了。