【摘 要】
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设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延工艺,该工艺能降低生产难度和成本.同时采用T
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设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延工艺,该工艺能降低生产难度和成本.同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟,并用MEDICI对该结构的电流-电压和击穿等特性进行模拟.该结构的HV-CMOS应用于PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片,能在80 V、40 mA的工作要求下安全工作.
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