【摘 要】
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自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管（LED）,将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行
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自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管（LED）,将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光
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