论文部分内容阅读
报道了用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器(QCL)材料的结构特性.X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面(含770层外延层)、厚度达到单厚子层控制,组份波动≤1%,晶格失配≤1×10-3.采用特殊的优化工艺,Φ50 mm 外延片的表面缺路陷密度降至1×10 cm-2,达到了器件质量的要求.