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主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用，对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ３ＴＰＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０Ω．ｃｍ、升阻比为４．９０个数量级的样品，对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３ＴＰＣＲ陶瓷材料，选用Ｎｂ２Ｏ５为半导化剂，ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时，可以在１０００℃左右的超低温下烧成，同时，对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步探讨。