【摘 要】
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为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所
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为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理。结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×10^10Ω·cm;在365nm处透过率约为36.5%,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10^-6K^-1,满足器件使用要求。通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好。
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