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一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：king4978

【摘 要】

：

针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后的芯片,确定时序电路中可插入缓冲器的最佳

【作 者】

：

戢小亮  佟星元  吴睿振  杜鸣 

【机 构】

：

西安邮电大学电子工程学院,西安电子科技大学博士后流动站,西安电子科技大学微电子学院

【出 处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2018年12期

【关键词】

：

工艺参数波动 芯片良率 缓冲器 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(No.61674122);新一代宽带无线移动通信网科技重大专项(No.2016ZX03001003-006);陕西省创新人才推进计划项目(No.2017KJXX-46)

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针对集成电路工艺参数波动影响芯片良率的问题,提出一种提高芯片良率的时序电路缓冲器插入算法.该算法通过蒙特卡罗仿真模拟流片后的芯片,确定时序电路中可插入缓冲器的最佳位置,在保证良率的前提下,降低了面积及成本损耗.算法经过ISCAS89的基准电路和TAU2013的电路进行仿真验证,结果表明插入缓冲器的数量小于等于触发器数量的1%,良率提高高达35.98%.

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