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本文详细介绍了氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的结构设计,并用射频辉光放电淀积法制备了a-SiC:H/a-Si:H异质结p-i-n结构非晶硅薄膜紫外线探测器,测量了器件的暗电流和光谱响应特性。在200—400nm紫外波段器件灵敏度接近于晶体GaAsP紫外线探测器,器件光谱响应峰值波长为430nm。
氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的设计和制备
【摘 要】
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本文详细介绍了氢化非晶硅薄膜紫外线探测器的结构设计,并用射频辉光放电淀积法制备了a-SiC:H/a-Si:H异质结p-i-n结构非晶硅薄膜紫外线探测器,测量了器件的暗电流和光谱响应
【机 构】
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宁波大学物理系,宁波大学物理系
【出 处】
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宁波大学学报：理工版
【发表日期】
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1993年2期
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