下一代栅材料—难熔金属

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【摘要】

：

随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者

【作者】

：

周华杰徐秋霞

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所北京

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

金属栅难熔金属多晶硅栅耗尽效应硼穿通 metal-gate refractory metal poly-si depletion effect boron

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随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选择难熔金属栅材料所需考虑的因素以及五种主要的制备工艺,并对比了它们各自的优缺点.

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