【摘 要】
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本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果。利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＾＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦，平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍
【机 构】
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天津大学精仪系,日本ＮＴＴ基础研究所物性部
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本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果。利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＾＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦，平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得１８１ｆｓ超短光脉冲。
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