【摘 要】
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以三甲基铝（TMA）和水为反应源，采用原子层沉积（AID）技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜，并对样品进行快速退火（RTA）处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿
【机 构】
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湖南大学物理与微电子科学学院微纳光电教育部重点实验室,中国科学院宁波材料技术与工程研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金（11104288）,宁波市自然科学基金（2011A610202）
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以三甲基铝（TMA）和水为反应源，采用原子层沉积（AID）技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜，并对样品进行快速退火（RTA）处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命，获得了表面复合速率（SRV），通过X射线光电子能谱（XPS）分析了薄膜的化学成分，在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响，并分析了钝化机理。结果表明：ALD技术制备的A12@薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm／s，表面钝化效果显著。
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