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采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSiz缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算．结果表明，Si空位引起了晶格结构发生畸变，能带变窄，在价带与导带之间形成一个独立能带，费米面整体向上发生微小偏移，形成了P型半导体．对光学性质的研究发现，由于Si空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化，静态介电常数ε1（O）增大；ε2的第一峰的位置向低能端移动，吸收系数发生微小红移．