【摘 要】
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研究了反应压力对金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射（XRD）和扫描电子镜（SEM）的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜（002）择
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研究了反应压力对金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射（XRD）和扫描电子镜（SEM）的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜（002）择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的（110）峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性.200 Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的＂类金字塔＂状绒面结构,电阻率为1.28×10^-2 Ω·cm.实验中沉积的ZnO薄膜在600～2 600 nm内平均透过率超过80%,
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