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通过在聚酰亚胺基体中引入一定量 MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明: MMT片层均匀而充分的分散提高了 MMT/PI薄膜的耐电弧性 , 这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.
蒙脱土/聚酰亚胺复合薄膜的电击穿破坏特性
【摘 要】
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通过在聚酰亚胺基体中引入一定量 MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明: MMT片层均匀而充分的分散提高了 MMT/PI薄膜的耐
【机 构】
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中国科学院化学研究所高技术材料实验室
【出 处】
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绝缘材料
【发表日期】
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2005年5期
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