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通过研究P/P＋外延片制备过程中衬底加工、背损背封、化学机械抛光、外延生长等各主要工艺对晶片总厚度变化、弯曲度、翘曲度等几何参数的影响,来分析晶片内应力的变化。重点研究了衬底片加工和外延生长各工序中内应力不断累积,晶片几何参数变化较大的现象,以便解决在器件研制的快速变温过程容易产生形变等问题。
P/P~+外延片制备过程中应力变化的研究
【摘 要】
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通过研究P/P＋外延片制备过程中衬底加工、背损背封、化学机械抛光、外延生长等各主要工艺对晶片总厚度变化、弯曲度、翘曲度等几何参数的影响,来分析晶片内应力的变化。重点研
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2012年4期
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