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互连线的寄生效应是制约深亚微米VLSI电路实现高速、高密度的关键因素．文中分析了集成电路制造过程中的工艺缺陷对互连线间寄生电容的影响，给出了考虑缺陷等因素的线间寄生电容模型．模拟结果表明，导电冗余物缺陷明显增加了线间寄生电容，从而对电路的可靠性有较大影响．
基于缺陷均匀分布的互连线间耦合电容分析
【摘 要】
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互连线的寄生效应是制约深亚微米VLSI电路实现高速、高密度的关键因素．文中分析了集成电路制造过程中的工艺缺陷对互连线间寄生电容的影响，给出了考虑缺陷等因素的线间寄生电容
【机 构】
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宝鸡文理学院计算与信息研究所,宝鸡文理学院物理与信息技术系
【出 处】
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计算机学报
【发表日期】
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2009年6期
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