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利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅（SiNx）薄膜，将沉积膜后的样品放在№气氛中进行快速热处理（RTP），研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜（AFM）检测薄膜的表面形貌，利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率，利用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）测量样品的少子寿命。实验结果表明随着RTP温度的升高，薄膜厚度迅速减小，折射率迅速增大；低于500℃热处理时，少子寿命基本不变；高于500℃热处理时，随着温度的升高，少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。