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本文利用ＰＶ理论通过考虑３ｄ电子对晶体化学键的影响，计算了若干３ｄ过渡金属化合物的化学键参数并运用于Ｒａｃａｈ参数和穆斯堡尔谱同质异能位移的研究，计算得到的结果与实验值符合的很好。
3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究
【摘 要】
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本文利用ＰＶ理论通过考虑３ｄ电子对晶体化学键的影响，计算了若干３ｄ过渡金属化合物的化学键参数并运用于Ｒａｃａｈ参数和穆斯堡尔谱同质异能位移的研究，计算得到的结果与实验值符合的很好。
【机 构】
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燕山大学材料化工学院,中国科学院长春应用化学研究所
【出 处】
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无机化学学报
【发表日期】
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2000年5期
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