稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shade89

【摘要】

：

随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许

【作者】

：

郑晓虎黄安平杨智超肖志松王玫程国安

【机构】

：

北京航空航天大学物理系; 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

Hf基高k栅介质稀土掺杂氧空位缺陷有效功函数

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:50802005,11074020);教育部新世纪优秀人才基金(NCET-08-0035),教育部博士点基金(批准号:200800061055)资助的课题~~

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随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.

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