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在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能（I-V和EL以及I-L测试）进行了相应的评价。通过分析相关实验数据得出：在电学特性与光学性能两方面,蓝宝石衬底上的LED均优于硅衬底上的LED。