论文部分内容阅读
通过物理气相沉积的方法制备出Si／非晶／Mo／AlN多层膜器件，利用透射电子显微学方法研究了截面样品和AlN薄膜平面样品，确定了AlN和 Mo的界面形态和生长方式。研究表明二者取向关系为[2110] AlN／／[111]Mo，（0002）AlN／／（110）Mo，且Mo表面的粗糙程度对AlN的生长有影响，因此本文为改进器件性能提供了参考方向。