【摘 要】
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采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的C
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,
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采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
Using 0.13μm process, 4-layer metal wiring, in the standard CMOS technology based on the increase of 3 masks prepared an 8Mb phase change memory. 1.2V low-voltage NMOS transistor as a unit gate, the unit size of 50F2. The peripheral circuit adopts the CMOS circuit of 3.3V working voltage. Set and Reset operating current were 0.4mA and 2mA. The current of the read operation is 10 μA and the number of chip fatigue characteristics exceeds 108.
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