低压ZnO压敏薄膜制备与研究

来源 :中国真空学会薄膜技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhoulei1964

【摘要】

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以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文

【作者】

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【机构】

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华东理工大学物理系(上海)

【出处】

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中国真空学会薄膜技术学术研讨会

【发表日期】

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2003年9期

【关键词】

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以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.

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