韩国三星公司开发1Gb DRAM的样品

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【摘要】

：

韩国三星公司开发IGbDRAM的样品，已确认10．74亿个元件全部工作。所开发的IGbDRAM，设计成1．8～20V电压下工作，具有低耗散功率。采用多接点同步结构，可达到30us的高速工作。采用新开发

【作者】

：

一凡

【出处】

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微电子技术

【发表日期】

：

1998年3期

【关键词】

：

三星公司韩国同步结构个人计算机多媒体设备耗散功率开发费用音频数据成品率芯片尺寸

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韩国三星公司开发IGbDRAM的样品，已确认10．74亿个元件全部工作。所开发的IGbDRAM，设计成1．8～20V电压下工作，具有低耗散功率。采用多接点同步结构，可达到30us的高速工作。采用新开发的技术，以提高批量生产时成品率。设计尺寸为0．18pm，芯片尺寸为569．5mm‘。可记录新闻840O页，静止画面40O幅，音频数据16小时的信息。首先，在新一代个人计算机和工作站中采用，还可应用于HDTV，3D图像等多媒体设备。该公司IGbDRAM的开发费用为2．72亿美元，120名研究人员花2年5个月的时

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