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根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 ,并由此得出了单晶硅的带隙能量
半导体光电特性的表面光电压谱表征
【摘 要】
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根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 ,并由此得出了单晶硅的带隙能量
【机 构】
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河北工程学院,河北大学
【出 处】
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河北建筑科技学院学报
【发表日期】
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2004年02期
【基金项目】
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河北省自然科学基金 ( 5 0 0 0 84)
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