n沟6H—SiCMOSFET阈值电压的温度特性模拟与分析

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【摘要】

：

分析了n沟6H-SiC MOSFET的杂质不完全离化和SiO2-SiC界面存在大量界面陷阱等问题,研究了影响6H-SiC MOSFET器件阈值电压温度特性的诸因素.通过解析式计算和MEDICI软件模拟,得

【作者】

：

韩军柴常春杨银堂李跃进

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

碳化硅 MOS场效应管温度特性阈值电压界面电荷 MOSFET SiC MOSFET Threshold voltage Temperature ch

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分析了n沟6H-SiC MOSFET的杂质不完全离化和SiO2-SiC界面存在大量界面陷阱等问题,研究了影响6H-SiC MOSFET器件阈值电压温度特性的诸因素.通过解析式计算和MEDICI软件模拟,得到了多种因素共同作用下的器件阈值电压的温度特性.研究表明,体内杂质的不完全离化、表面空间电荷层中的杂质离化程度和特定分布的界面电荷,对阈值电压的温度特性有显著的影响.

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