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研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2sccm时,制备的ITO薄膜最优,其电阻率为2.2×10^-4Ω·cm,在450-460nm处的透过率超过98%,折射率为1.7.
氧流量对电子束蒸发ITO薄膜特性影响的研究
【摘 要】
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研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2sccm时,
【机 构】
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广东省半导体产业技术研究院
【出 处】
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材料研究与应用
【发表日期】
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2016年3期
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